Detail publikace
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition of SiO2-Like Films: Monitoring and Optimization of the Process
PROCHÁZKA, M. BLAHOVÁ, L. KRČMA, F. PŘIKRYL, R.
Originální název
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition of SiO2-Like Films: Monitoring and Optimization of the Process
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
This work focuses on high density thin films deposited by PECVD using hexamethyldisiloxane precursor. Optical emission spectroscopy was used for plasma diagnostics. Oxygen transmission rate and infrared spectra of deposited layers were measured. Optimal experimental conditions for low carbon content layers and layers with good barrier properties were determined.
Klíčová slova
Thin film deposition, optical emission spectroscopy, oxygen transmission rate
Autoři
PROCHÁZKA, M.; BLAHOVÁ, L.; KRČMA, F.; PŘIKRYL, R.
Rok RIV
2012
Vydáno
7. 12. 2012
Nakladatel
FCH VUT
Místo
Brno
ISBN
978-80-214-4644-1
Kniha
Studentská odborná konference Chemie je život 2012, Sborník příspěvků
Strany od
405
Strany do
408
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT101783,
author="Michal {Procházka} and Lucie {Janů} and František {Krčma} and Radek {Přikryl}",
title="Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition of SiO2-Like Films: Monitoring and Optimization of the Process",
booktitle="Studentská odborná konference Chemie je život 2012, Sborník příspěvků",
year="2012",
pages="405--408",
publisher="FCH VUT",
address="Brno",
isbn="978-80-214-4644-1"
}