Detail publikace

Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu

ČECHAL, J. POLČÁK, J. TOMANEC, O. ŠIKOLA, T.

Originální název

Anglický název

Guided growth of cobalt islands on silicon substrate.

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.

Anglický abstrakt

We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared.

Klíčová slova

Tenké vrstvy; Nukleace; Řízený růst; Fokusovaný iontový svazek; SiO2; Kobalt

Klíčová slova v angličtině

Thin films; Nucleation; Guided growth; Focussed ion beam SiO2; Cobalt

Autoři

ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; TOMANEC, O.; ŠIKOLA, T.

Rok RIV

2009

Vydáno

1. 9. 2009

ISSN

0447-6441

Periodikum

Jemná mechanika a optika

Ročník

Číslo

7-8

Stát

Česká republika

Strany od

222

Strany do

224

Strany počet

BibTex

@article{BUT48784,
  author="Jan {Čechal} and Josef {Polčák} and Ondřej {Tomanec} and Tomáš {Šikola}",
  title="Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2009",
  volume="54",
  number="7-8",
  pages="222--224",
  issn="0447-6441"
}